随着现代电子器件的尺寸不断缩小,研究人员越来越多地依靠纳米技术寻找器件尺寸和功耗的突破。在这些纳米级器件中,电气特性受量子特性的影响。例如,器件电阻通常不是恒定的,而且单次I-V测量不能实现器件电阻的分析。对于纳米级器件,需要在许多点进行详细测量以产生有效的I-V曲线,并绘制微分电导(dG = dI/dV)。