MACOM获得美国防部资助开发GaN-on-SiC产品

2024年11月4日，MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.（MACOM）宣布，公司已被选中领导一项由美国国防部（DoD）资助的开发项目，旨在推进射频（RF）和微波应用领域的先进氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）半导体技术。此项目将重点开发基于GaN材料的单片微波集成电路（MMIC）半导体制造工艺，以提升高压和毫米波（mmW）频率下的高效运行能力。

该项目获得的资金来源于美国国防部的《CHIPS和科学法案》（CHIPS Act），其目标是促进高性能半导体材料的研发，尤其是在军事和通信领域的应用。首期资助金额为340万美元。MACOM作为宽带隙半导体商业飞跃（CLAWS）微电子公共中心的成员，将与北卡罗来纳州立大学、Adroit Materials以及海军研究实验室（NRL）密切合作，共同推动这一重要技术项目。

MACOM的成功背后，得益于其与美国空军研究实验室（AFRL）长期的合作关系。自2021年起，MACOM与AFRL签订的合作研究与开发协议（CRADA）便使MACOM能够将AFRL的0.14微米GaN-on-SiC MMIC工艺转移到其位于马萨诸塞州的美国可信代工厂。此外，2023年公司再次与AFRL签订了价值400万美元的合同，进一步推动毫米波应用的GaN技术研发。

GaN-on-SiC技术的核心优势在于其高功率、高效率的性能，适用于射频、微波以及毫米波频段的应用，尤其是在雷达、传感器、通信等高精度要求的领域。GaN材料本身具有更高的电子迁移率和击穿电压，使其在处理高功率和高频信号时展现出更强的稳定性和高效性。而碳化硅（SiC）材料则提供了更好的热管理能力，能够承受更高的工作温度和功率输出。

这一技术的创新不仅能满足国防领域对高效、可靠电子设备的需求，还将在5G、6G等下一代电信网络的建设中发挥至关重要的作用。特别是在毫米波通信中，GaN-on-SiC技术有望提供更强大的功率支持和更低的能量消耗，从而助力下一代通信基础设施的高效部署。

MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示：“我们的战略是通过增强国内射频和微波功率技术的生产能力，为军方的雷达和传感应用提供支持，同时推动下一代电信网络的发展。”他指出，基于这些技术合同开发的产品不仅将增强美国在全球半导体技术领域的竞争力，还将为MACOM在国防与电信行业中的市场份额扩展提供重要支持。

事实上，MACOM已经凭借其在GaN技术领域的深厚积淀，成为推动下一代通信和国防技术创新的重要力量。公司未来的技术进展有望改变军事和通信领域的格局，提升美国在全球技术竞争中的战略优势。

随着MACOM在GaN-on-SiC技术上的持续投资和研发推进，预计未来将有更多突破性产品问世，进一步拓展公司在国防和电信领域的市场份额。该公司不仅在技术创新上走在前沿，还通过与顶级学术机构和实验室的合作，不断推动行业标准和应用场景的拓展。

在未来几年内，MACOM将继续加强与国防部、美国空军研究实验室及其他行业合作伙伴的合作，推动先进半导体技术的国产化和军事领域的技术自主性，以确保在全球半导体行业的领先地位。