9月19日,在2019中芯国际技术研讨会上,中芯国际市场及海外销售副总裁Kelvin Low表示,中芯国际的14nm FinFET工艺良率正不断爬坡,产能也正成指数级增长。
Kelvin Low表示,在每一个工艺节点,中芯国际都在针对不同的应用需求来推出不同IP产品,例如MCU、基站等横向应用领域。虽然MCU现在可能只会应用到55nm和40nm工艺,但Kelvin透露,目前也有客户在考虑采用FinFET技术,所以未来FinFET技术拥将有很大的市场。
目前,中芯国际的14nm已经进入了客户风险量产阶段,12nm也已经进入了客户导入阶段。那么12nm相较于14nm有何提升呢?
Kelvin表示,中芯国际致力于帮助客户打造低功耗、高性能的产品,而功耗的表现需要从多个维度去比较。具体来看,中芯国际的12nm相较于14nm能将芯片尺寸缩小10%,动态功耗降低10%,静态功耗降低36%。
虽然射频和车用电子目前还没有用到先进工艺,但Kelvin认为,除了MCU,这两个领域很快也会使用到14nm和12nm,中芯国际从工艺到封装都已经做好了准备。
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史海拾趣
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