9月18日,有投资者在互动平台提问:目前公司14纳米已经量产,N+1 代芯片进入客户导入阶段,可望于 2021年进入量产,以上新闻报道的信息是否属实?对此,中芯国际表示,公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产;第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。
据集微网2月报道,在中芯国际2019第四季度财报会议上,梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。
梁孟松博士透露,中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。所以在功率和稳定性方面,N+1和7nm工艺非常相似,唯一区别在于性能方面,N+1工艺的提升较小,市场基准的性能提升应该是35%。所以,中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。
据了解,2019年第四季度,中芯国际的14nm首次贡献营收。赵海军博士则表示,来自14nm的营收将在今年继续稳步上升,14nm产能也将随着中芯南方12英寸厂的产能爬坡而增长。14nm的应用领域包括高端消费电子、高性能计算、媒体应用、人工智能和汽车电子等领域。
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史海拾趣
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