中科院院士都有为：自旋芯片或将成为后摩尔时代主流芯片

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10月16日，第十九届中国（淄博）新材料技术论坛在淄博举行。在论坛上，中国科学院院士，南京大学物理系教授、博士生导师都有为指出，自旋芯片属于核心高端芯片，是科技关键核心技术，具有高达上万亿美元的巨大市场前景，有可能成为后摩尔时代的主流芯片。

据了解，自旋芯片是各类MRAM（磁随机存储器）的统称，共经历了MRAM、STT-MRAM、MeRAM等三个发展阶段。

在此期间，不同的国家或者企业都在积极推动自旋芯片的发展。2008年，日本卫星全面采用Freescale公司的MRAM产品，替代了SRAM和Flash存储器。2009年，法国投入420万欧元资助研制自旋电子可编程逻辑器件；韩国政府与Hynix和三星共同投资5000万美元开发STT-MRAM。2010年，日本研发新的TMR结构，原理上可以使STT-MRAM容量达到10Gbit。2013年，欧洲A350飞机采用自旋芯片控制系统。2016年，IBM联手三星宣布批量生产STT-MRAM芯片，其读写速度比NAND Flash快千倍，有望取代DRAM。

从2017年开始，中国企业也在积极布局自旋芯片。2017年，台积电在南京建厂拟生产自旋芯片。2018年，杭州驰拓、上海磁宇、中芯国际、华为等筹建自旋芯片的研发、生产线。

都有为认为，自旋芯片兼具SRAM的高速度、DRAM的高密度和Flash的非易失性等优点，是科技关键核心技术，可军民两用，具有高达上万亿美元的巨大市场前景，有可能成为后摩尔时代的主流芯片。这对提升国家高科技水平和增强国防安全意义重大，国外不会将高端科技在中国生根发芽，国家应予以高度重视与支持。

都有为强调，如果我国当前不重视自旋芯片的研发与产业化，未来必将受制于国外，重走半导体芯片落后的覆辙。

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