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简介
隧穿场效应晶体管（TFET）是一种新型的场效应晶体管，潜在地成为未来电子器件中的重要组成部分。TFET基于量子力学隧穿效应工作，与传统的MOSFET相比，TFET具有更高效的电流控制能力，可以显著减少功耗并提高集成度。TFET的工作原理包括源极、漏极和栅极等主要部件。与MOSFET不同的是，TFET的栅极不是用于改变电荷分布，而是用于控制源-漏之间的载流子注入。调节栅电压可以改变源-漏之间pn结区域的耗尽层宽度，从而影响载流子的隧穿穿透率和注入浓度，实现对电流的高效控制。
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