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SiC 功率产品选型指南
高性能SiC FET 、JFET和肖特基二极管
• 最低的 RDS(on)
• 多种VDS可选：650/750/900/1200/1700V
–5.4m Ω @ 750V
–7m Ω @ 650V
–9m Ω @ 1200V
• 第 4 代SiC FET – 750V ，5.4m Ω 至60m Ω可选（UJ4C/SC系列）
–1200V ，23m Ω 至70m Ω可选（UF4C/SC系列）
• 同类最佳的品质因数（FoM ）
–RDS(on) x 面积
–Coss(er)/Eoss x RDS(on)
–Coss(tr) x RDS(on)
–RDS(on) x Qg
• 5 μ s短路耐受时间 @ 6m Ω, 750V
• 高性能共源共栅结构配置
• 优秀的体二极管（Vf<2V ）
• 使用任何硅基和 / 或SiC栅极驱动电压驱动
• 卓越的热性能
• 集成ESD和栅极保护
• 工业标准封装，包括开尔文源
• 大部分器件均通过AEC-Q101认证
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