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正文
SiC FET 的起源及其向理想开关的演变
用作高频开关的宽带隙半导体是提高电源转换效率的推动因素。举个例子，碳化硅开关可实现为 SiC MOSFET，或在共源共栅配置中实现为 SiC FET。本白皮书追溯了 SiC FET 的起源及其演变迭代的过程，并将其性能与替代技术进行了比较。
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