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正文
利用共源共栅配置应对 SiC JFET 的应用挑战 (UnitedSiC AN0004)
The high switching speeds and low RDS(ON) of high-voltage SiC JFETs can significantly improve the efficiency and power density of many power conversion applications. However, the conventional view of these devices is that, despite the parametric advantages, JFETs are difficult to implement due to non-standard drive voltages and a lack of an intrinsic diode when switching inductive loads.
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