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SiC 产品选购指南
高性能 SiC FET、JFET、模块和肖特基二极管
主要特点
·多种 VDS 可选:650/750/900/1200/1700V
·业界卓越的导通电阻 RDS(an)
- 5.4mΩ @ 750V
- 7mΩ@650V
- 9mΩ @ 1200V
·第4代 SiC FET
- 750V，5.4mΩ 至60mΩ 可选(UJ4C/SC系列)
- 1200V，23mΩ至70mΩ可选(UF4C/SC系列)
·同类最佳的品质因数(FoM)
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