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newlandmark 发布

NCP51820GAN1GEVB、NCP51820 GaN 驱动器评估板,用于 650V、50 mOhm E 模式 GaN HEMT

使用 ON Semiconductor 的 NCP51820 的参考设计

 
设计简介
NCP51820GAN1GEVB、NCP51820 HB GaN 驱动器评估板 (EVB) 旨在取代现有半桥或全桥电源中使用的驱动器和功率 MOSFET。该 EVB 突出了高效可靠地驱动高压图腾柱配置中使用的两个氮化镓电源开关所需的性能、简单性和最少数量的组件。预期应用包括离线电源转换器拓扑,例如:LLC、相移全桥、图腾柱 PFC、有源钳位反激和正激、双有源桥、Phi-2 和高压同步降压

说明

  • NCP51820GAN1GEVB, NCP51820 HB GaN Driver Evaluation Board (EVB) is intended to replace the driver and power MOSFETs used in existing half-bridge or full-bridge power supplies. This EVB highlights the performance, simplicity and minimal number of components required to efficiently and reliably drive two gallium nitride power switches used in a high-voltage, totem pole configuration. Intended applications include off-line power converter topologies such as: LLC, phase-shifted full-bridge, totem pole PFC, active clamp flyback and forward, dual active-bridge, Phi-2 and high voltage synchronous buck
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更新时间2024-11-14 05:17:23

 
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