此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离，可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路，可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 ISO7721-Q1 数字隔离器来连接故障信号和复位信号。整体采用 40mm × 40mm 的紧凑型双层 PCB 板设计。

特性

• ● 用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案
• ● 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，开关频率高达 500kHz
• ● 紧凑高效的内置隔离式偏置电源（具有 15V 和 –4V 输出）
• ● 分立式两级关断功能可实现短路保护，具有可调的电流限制和延迟（消隐）时间
• ● 提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离