本电路的结构及工作原理与前一个电路基本相同,只是在所用元件与部分功能上略冉
不同o一是该电路的显示频段分为七个频段,其中心频率按2.5倍频程选取,分别为
60Hz、150Hz.400Hz、1kHz、2-5“七、6kHz:和15kHz;二是该电路的电压比较器采用
了一只LB1404来代替两只运放,并由8级比较增大为9级比较,使显示矩阵由8×8变
为7×9;三是在带通滤波器之前增加了一个输入放大器和自动电平控制电路,克服了大
信号的满屏和小信号的暗屏现象。同时增设了一个记忆选择电路,通过开关进行控制,接
通开关时,正在显示的频谱被固定下来,以便进行仔细分析信号的频率成分及信号强度。
全电路由输人信号混合放大、自动电平控制、电子开关、扫描脉冲分配、带通滤波器
和记忆选择电路等组成。电路如图4-64所示o
输入混合电路。左右声道输入信号从输入端输入后,经混台电阻Rl、R2的混合后,
由cl耦合至ICI-4作隔离放大o Rl、R2取值较大,以减小对分离度的影响。信号经ICl.4
放大后分为两路,一路经巴耦合、VDi、、rDz倍压整流及C3滤波后,产生反映信号强度
的直流电压,经马加到VTi的基极,由VTi放大后再控制VTzC-E问的导通电阻,相
应地控制了输入到ICI-4的信号的强度,从而稳定了输出电平;另一路加到Icl-l~lCl.3、
IC2-1~IC2-4及周围元件组成的7级带通滤波器,作分频处理。
由带通滤波器输出的信号电压,需经二极管、,D4~VDio整流,以取得反映各频段信
号强度的直流电压。由于硅二极管的导通电压(并称死区)较高,为了克服死区电压的影
响,本电路设置了消死区电路,它由Rg和Ⅵ瑰组成,Ⅵb是采用锗低频三极管的eb
极间压降,形成性能较好的0,3V稳定电压,以减小硅二极管死区电压的影响。
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