FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
富士通半导体FRAM产品系列非常丰富，包括独立式记忆体、内建FRAM的RFID/验证系统级晶片(LSI)，以及客制化解决方案。其非易失性、高速、高读写耐久性的车规级FRAM，可在高达摄氏125度的高温环境下运作，且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准。
