现在,让我们了解如何使用分立元件构建双向开关,以实现预期的双向开关应用。
下图显示了使用 P 沟道 MOSFET 的基本 BPS 实现:
使用 P 沟道 MOSFET
当点“A”为正时,左侧体二极管正向偏置并导通,然后是右侧p-MOSFET,以完成点“B”处的导通。
当点“B”为正时,相反的相应分量对传导变得活跃。
较低的 N 沟道 MOSFET 通过适当的 ON/OFF 栅极命令控制 BPS 器件的 ON/OFF 状态。
电阻器和电容器可保护 BPS 器件免受可能的浪涌电流浪涌的影响。
然而,使用P沟道MOSFET从来都不是实现BPS的理想方法,因为它们的RDSon很高。因此,与基于 N 通道的 BPS设计相比,这些可能需要更大、更昂贵的器件来补偿热量和其他相关的低效率。
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