器件具有高达17µA的反向光电流、±20°的半灵敏度角，10ns的快速开关时间能够提高数据传输速率日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款具有高感光灵敏度和快速开关时间的高速硅PIN光电二极管，二极管采用透明和黑色树脂T1塑料封装，扩大了Vishay的光电子产品组合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透镜，具有高达17µA的反向光电流和±20°的半灵敏度角。今天发布的器件特别适合仪表应用中的数据传输、光中断器、光学开关、编码器和
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用2906尺寸封装的新款Power Metal Strip®仪表分流电阻，该电阻具有3W的功率和最低300µΩ的极低阻值。 WSMS2906仪表分流电阻采用独有的工艺技术，能够实现300µΩ～660µΩ的极低阻值。低阻值能够有效提高工业和消费类单相和多相电能表的电流表分流应用中的计量精度。新电阻的容差只有5%，使电力公司能够获得更精确的数据来测定用户的用电量，并调整收费项目。WSMS2906采
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件，扩充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET，是目前市场上尺寸最小的此类器件，而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。Vishay的TrenchFET G
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器件可提供6、8和10引脚的封装形式，具有±25ppm/℃的TCR和±0.05%的严格比例容差日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款通过MIL-PRF-83401认证(标准码57489)的通孔、单片在线路薄膜电阻网络。M83401具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，5ppm/℃的TCR跟踪和±0.05%的严格比例容差，超出MIL-PRF-83401 R、V和H特性对所有性能指标的要求。 今天发布的电阻网络具有3～9个电阻，提供
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日前，Vishay
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用3124尺寸封装的新款Power Metal Strip®仪表分流电阻，该电阻具有3W功率及100µΩ的极低阻值。可以用电子束焊接的方法，把WSMS3124放置在电力功率表中用做分流装置。电阻在物理形状上也进行了设计，从而实现了非常低的TC特性(低至75ppm/℃)。
WSMS3124仪表分流电阻采用专有的加工工艺，能够实现100µΩ～750µΩ的极低阻值。在工业和
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彩色和白色器件的最大发光强度分别达450mcd和180mcd，高度为0.8mm 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一系列采用最小的SMD 0604封装的超薄、超亮LED。新的VLMx1300系列LED使用了创新的ChipLED技术，为实现更高性能、设计更灵活、应用更强大但尺寸更小的终端产品铺平了道路。0603 VLMx1300 LED可用于条件苛刻的环境中必须能可靠工作的小尺寸、高亮度的产品。 VLMx1300系列中的
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新器件采用弹簧复位系统，具有低至±1%的线性度和长达1000万次循环的寿命 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用非接触式霍尔效应技术的线性位置传感器。20 LHE传感器适合在恶劣环境中要求采用长寿命传感器的应用。新型20 LHE所采用的霍尔效应技术使其能在高达20G的高频震动和50G的冲击条件下正常工作。器件的寿命长达1000万次循环，是装卸叉车转向的舵柄头、牵引机齿轮换挡、卡车倾斜传感器、压力测量和踏板替换系统等工业应用中短
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。WSLP2512电阻的先进结构包括具有低TCR(<20PPM/℃)的固态金属镍铬或锰铜合金电阻芯，以及专门挑选并进行稳定化处理的材料，使这种高功率电阻的工作温度范围达到-65℃～+170℃，同时保持Power Metal Strip结构的优异电气特性。新器件使高性能终端产
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器件具有10A～40A的宽额定电流范围，在20A电流下的典型VF低至0.51V日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出12款采用3种功率封装、具有10A～40A额定电流范围的新型45V器件，扩充其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器在20A电流下具有0.51V的极低正向压降，适合在太阳能电池接线盒中用作起保护作用的旁路二极管。 今天发布的产品包括单芯片V(B,F)T1045BP、V(B,F)T2045BP、V(
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器件基于蓝宝石的冷白光SMD LED的色域装箱和订购选项；现可提供14个窄色域，有4种相近的颜色分组可供选择。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为满足在各种照明应用中对颜色均匀性的要求，Vishay扩大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封装、基于蓝宝石的冷白光SMD LED的色域装箱和订购选项。器件现可提供14种不同的色域，根据CIE1931进行非常窄的色度坐标分组。
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Vishay推出业内首个4接头、1W的检流电阻
器件采用0612封装尺寸、阻值为0.5 mΩ～5 mΩ
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
WSK0612电阻的小尺寸使其能替代更大的检流电阻，
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器件在4.5V下导通电阻仅为34mΩ，具有1.6mm x 1.6mm的占位面积和不到0.8mm的高度，可在1.2V的电压下导通，适用于更低电压的手持式电子产品
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V
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新款器件提供C0G和X7R/X5R电介质，6.3VDC～3000VDC的额定电压、0.5pF～6.8μF的电容值和11种外形尺寸
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R电介质，提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。
近年
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