宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5W的高功率等级。
今天发布的这些器件采用性能稳定的薄膜，在+70℃下工作2000小时后仍具有1000pp
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有低电容和低泄漏电流的新款ESD保护阵列---VBUS053CZ-HAF，能够保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的影响。在5.5V的工作范围内，新的VBUS053CZ-HAF可为3条线路提供USB ESD保护，在28V工作范围内对一条VBUS线路提供保护
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分别具有16mΩ、26mΩ、32mΩ和95mΩ的超低导通电阻。最接
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2011 年 1 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款提供eSMP®表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。
今天发布的器件可在低压、高频逆变器和太阳能电池接线盒中实现更高的电流密度，在这些应用中
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布用于遥控系统的新系列微型红外接收器--- TSOP85…AP5，扩充其光电子产品组合。这些接收器将一个PIN二极管、前置放大器和用于PCM频段的内部滤波器装入一个顶视尺寸只有1.3mm的超薄封装内。TSOP85…AP5器件具有高灵敏度与尺寸比，具有±75°的宽视角及灵敏度为0.15mW/m2～0.35mW/m2。
今天发布的器件具有
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的采用1212外形尺寸的IHLP®低外形、高电流电感器---IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11。小尺寸的IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11的占位为3.0mmx3.6mm，分别具有1.2mm和1.5mm的超低厚度。
IHLP-1212AB-11和 IHLP-1212AE-11具有最高
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2010年12月21日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用2012和4527外形尺寸的新系列表面贴装的高精度、高稳定性金属膜电阻 --- PSF系列。该系列电阻具有±5 ppm/℃的极低温度系数和0.01%的容差，在各种环境条件下均具有优异的稳定性。
PSF器件是Vishay的轴向引线PTF系列电阻的表面贴装版本，为精密测试和测量系统，以及军工、航天和工业设备和仪表中的高精度应用进行了优化
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2010年12月21日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其在菲律宾首都马尼拉郊区的制造工厂因在环境和安全方面的突出表现，荣获菲律宾政府在2010年颁发的3个奖项，这些奖项包括总统办公室与环境和自然资源部颁发的环境表现表彰证书，能源部颁发的能效和优秀能源管理奖，劳工部颁发的安全里程碑奖。
菲律宾总统Gloria Macapagal Arroyo亲自向Vishay颁发环境表现表彰证书。仅有其他7家在菲律宾的公司荣获了这个声誉卓著的奖项。要获得
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2010年12月14日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列的固钽贴片电容器 --- 592W。稳定耐用的592W电容器专门针对无线调制解调器中的脉冲工作模式而设计，在6.3V～10V电压范围内，具有330μF～2200μF的高容值，3种外形尺寸的高度为1.6mm和2.0mm。
今天发布的电容器在各种温度、脉冲重复间隔和电压条件下均具有稳定的电气性能。可应用在无线调制解调器、固态驱动器和移动立体声音频中，作为大容量储
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2010年12月16日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出完全集成的接近和环境光光学传感器--- VCNL4000，在业内首次将一个红外发射器、光电二极管、环境光探测器、信号处理IC和一个16位ADC组合到小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的无引线(LLP)表面贴装封装内。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口，在各种各样的消费和工业应用中能够大大简化设计。
新的VCNL4000可在智能手机、触摸
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2010年12月6日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列螺丝端子功率铝电容器 --- 500 PGP-ST。这些高效电容器具有1,000µF、450V至15,000µF、400V的容值/电压组合，提供从50mm x 80mm至90mm x 220mm共9种外形尺寸。
新款500 PGP-ST电容器采用圆柱形铝外壳密封，并带有压力释放装置，外部采用蓝色套筒进行绝缘，在+85℃下的额定纹波电流高达24.1A，在+85℃下的使用寿
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2010年11月22日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过DSCC检验的新款零阻值贴片电阻 --- RCWPM Jumper，该电阻通过了MIL-PRF-32159的RCZ型认证。对于军工、航空、航天、医疗及其他在恶劣环境中的应用，RCWPM Jumper提供了确定的可靠性和军品级的失效率。
RCWPM Jumper采用稳定的厚膜电阻体和96%氧化铝衬底，“B”型接头的镍阻挡层外又裹了一层
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2010年11月24日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司荣获中电会展与信息传播有限公司(CEEIC)颁发的“分立半导体类”2010中国市场电子元器件领军厂商奖(CMECMA)。
中国市场电子元器件领军厂商的获奖企业是根据中国电子制造商采购行为调查(PSCEM)的结果得出的，该调查由中电会展与信息传播有限公司和电子元件技术网每年举行一次。该调查的目的是改善供需双方的沟通，推动新型供应服务，以及提高采购效率。
作为调查的一部分，
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器件是业界首款标定在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET，导通电阻为8.5mΩ
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 11 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR880DP 80V ThunderFET®功率MOSFET荣获《今日电子》杂志评选的第八届年度Top-10 DC/DC电源产品奖。
《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得的显著进步，以及价格和性能上的重要成就三个方面，对前一
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 11 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC，是业界此类器件当中最低的。
SiHG47N60
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