- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 1 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，在Vishay网站上推出可帮助设计者为其应用选择合适的绕线电阻的免费在线脉冲能量计算器。
Vishay新的Joule School在线脉冲能量计算器(请访问http://www.vishay.com/resistors/
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款IHLP®低外形、高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11，该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面积为8.3mm x 8.8mm，高度仅有4.0mm，低至1.35mΩ的最大DCR和从0.22µH至47.0µH的标准感值可提供系统所需的高效率。
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT。与传统薄膜电阻相比，PLTT电阻的工作温度范围几乎扩大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的标准TCR和低至±0.02%的容差。
今天
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Hi-Rel COTS系列固钽贴片电容器。这些电容器提供威布尔分级、符合per MIL PRF 55365标准的浪涌电流测试选项、低ESR选项，并且内置熔丝，从而在关键应用中达到高可靠性和提供短路保护。
T86系列器件具有内部熔丝熔断机制 ，在+25℃下施加电流超过5A，熔丝在0
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出增强型PLT系列精密低TCR薄膜电阻，将容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的温度范围内，这些器件具有低至±5ppm/℃的标准TCR。
凭借性能稳定的薄膜材料，以及在+70℃下经过10000小时仍能达到500ppm的性能特性，PLT系列器件可针对工业、
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列螺旋式接线柱功率铝电容器---104 PHL-ST。该款电容器在+105℃下的使用寿命长达5000小时，在+105℃下的额定纹波电流高达34.8A，提供从35mm x 60mm至90mm x 220mm的11种外形尺寸。
圆柱形的铝外壳与密封圆盘里的蓝色
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的，该数值是衡量DC/
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
新的 SiA923
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的，该数值是衡量D
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
新的 SiA9
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 2 月24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款Power Metal Strip®仪表分流电阻--- WSMS2908，在业内首次采用可直接焊到PCB板上的传感引线，无需昂贵的柔性引线。在2908尺寸的封装内，WSMS2908实现了3W功率和100 μΩ的极低阻值。
WSMS2908仪表分流电阻采用独
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- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 2 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为其TSOP 红外系列接收器中的10种产品推出新的“V”低压电源选项，扩充其光电子产品组合，以满足电池供电的消费产品对更低工作电压的需求。在低至2V的电源电压和+5℃～+85℃的温度范围内工作时，V系列器件始终能够保持稳定的灵敏度等级。
在采用2节碱性电池的应用中，以160mA负载工作3小时，电
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 2 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，已在其网站上添加了一个详细介绍红外接收器如何在3D电视主动式快门眼镜中工作的视频在线讲座。
3D电视中的红外接收器会接收来自3D电 视机的同步信号，然后开启和关闭每个眼镜镜片中的LCD快门，产生立体的3D电视效果。
Vishay的TSOP75D25和T
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 2 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出8通道单端模拟复用器高可靠性DG408，扩充其按照MIL-PRF-38535规范进行筛选的模拟开关和复用器系列。
2010年6月，Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂再次通过DSCC认证，可以按MIL-PRF-38535筛选规范制造模拟开关和复用器。MIL-
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