2011 年 5 月 18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,Vishay发布2011年的“Super 12”特色产品。这些元器件具有业界领先的规格标准,如导通电阻、导通电阻与栅极电荷乘积(FOM)、温度范围和电流等级。
2011年的Super 12产品如下:
• 146 CTI SMD极化铝电容器——对于汽车应用,通
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布用于VCNL4000全集成式接近和环境光光学传感器的新款演示套件。演示套件中的VCNL4000安装在一块PCB板上,并配有USB接口和的演示软件,使设计者不用花很多钱就能为其应用轻松评估这款器件。
作为全集成式传感器,VCNL4000将红外发射器、接近光敏二极管、环境光探测器、信号处理IC,以及I2C总线通信接口装进一个小尺寸的
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2011 年 5 月 17 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用钽外壳和glass-to-tantalum密封的新系列液钽电容器---T16,该器件特别适用于航空、航天领域。T16电解电容器具有Vishay SuperTan®系列器件的所有优点,同时还具有更好的反向电压和高耐震性能。
T16的性能有很大提高,在+85℃下的反向电压为1.5V;采用高可
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采用低外形PowerPAK® MLP 6x6封装的集成解决方案包含了高边和低边功率MOSFET、驱动IC和自举二极管
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 5 月 10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。 
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2011 年 5 月 3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列HI TMP® TANTAMOUNT®表面贴装固钽贴片式电容器--- TH5,在业内首次在12V或21V下使容值达到10µF,可在+200℃可连续工作500小时,而不需要进行电压降额。
由于能在比业内标准的+150℃或+170℃更高的温度下工作,TH5在价格上很有竞争力,并且为在非常高的温
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2011 年 5 月3日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为广受欢迎的低ESR TR3高容量、高电压模压钽贴片电容器新增一种W外形尺寸(EIA 7316)。新外形尺寸为7.3mm x 6.0mm,高3.45mm,使电容器的容量和电压范围扩展到现有A至E外形尺寸以外。 继Vishay近期发布63V和75V钽电容器之后,低ESR TR3 W外形版本的发布
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,该公司扩大了ORN系列薄膜模压双列直插式表面贴装电阻网络的阻值范围。增强后的器件可提供49.9Ω~500kΩ范围内的13种标准阻值,使设计者在相同的标准窄体SOIC鸥翼型封装内可使用阻值更高或更低的电阻。
ORN系列中的器件具有比分立芯片更高的精度,在一个3.99mm x 4.93mm的8管脚表面贴装的网络内装入
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 28 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,在公司网站(www.vishay.com)上推出新的铝电容器在线选择工具。这个工具能帮助设计者挑选适合其应用的器件,从而节省工作时间。
Vishay新的选择工具能够根据容值、电压、样式(如轴向式、径向式、SMD、压扣式或螺丝端子)、外形尺寸、最高温度、使用寿命和封装
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高电流电感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大频率,提供0.47µH~47.0µH的标准感值。
今天发布的IFSC电感器的频率高达5.0MHz,在LCD显示器、硬盘驱动器、数码视频摄像头、智
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率,150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流,使受控的启动过程更加平滑,从而将开关噪声降至最小。
 
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率,150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流,使受控的启动过程更加平滑,从而将开关噪声降至最小。
 
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用GSIB-5S封装的新款单相直排桥式整流器--- LVB1560和LVB2560。整流器的VF比前一代产品更低,在+125℃下只有0.73V,并可承受高正向浪涌电流。
LVB1560的电流等级为15A,在7.5A电流时的正向电压降低至0.73V,LVB2560的电流等级为25A,在1
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,其TANTAMOUNT® Hi-Rel COTS T97和商用的工业级597D系列固钽贴片电容器,以及ThunderFET™ SiR880DP 80V N沟道功率MOSFET入选2011年Design News杂志电子和测试类Golden Mousetrap Best Product的最终评选名单。
 
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新系列薄膜材料的模压双列直插电阻分压器---ORNV系列。分压器具有±0.05%的严格分压比容差,在2000小时和+70℃条件下的分压比稳定率特性(ΔR)为±0.015%,还具有±5PPM/ºC的严格TCR跟踪。ORNV系列中的器件由5个电阻组成4mm x 5mm的8引脚表面贴装网络,包括2个分压器和1个参考电阻,具有比分立式SMT芯片更高的精度。
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